キオクシアとサンディスク、日本のFab2で第10世代3Dフラッシュの生産開始

キオクシアとサンディスクは、日本の岩手県にある北上工場複合施設のFab2で第10世代3Dフラッシュメモリーの生産を開始した。一方、キオクシアは次世代チップのサンプル提供もAIデータセンター事業者向けに始めた。ブルームバーグが7月4日に報じたところによると、東京都に本社を置く同社は、332層の第10世代3Dフラッシュについて、従来の主力製品である第8世代チップ比で容量が59%増加し、エネルギー効率とデータ転送速度も改善したと説明した。今回の生産開始により、2025年9月に第8世代3Dフラッシュメモリーの生産を始めたK2製造複合施設の先端生産能力が拡大する。両社によると、第8世代と第10世代の製品はいずれもCBAアーキテクチャを採用しており、CMOSロジックとメモリーアレイを接合することで、AIを含むデータ集約型アプリケーション向けに高密度化、高速化、省電力化を実現する。キオクシアとサンディスクは合弁事業の契約期間も2034年12月まで延長した。別件では、サンディスク株は7月3日に14.13%下落して1,745.00となり、時間外取引では0.98%上昇して1,762.07となった。