サンディスク株が14.13%安、キオクシア提携がK2で第10世代3Dフラッシュ生産開始

両社は日本の北上工場Fab2で最新のNAND技術の製造を開始し、AI関連のストレージ需要に対応する能力を拡大した。合弁事業は2034年12月まで継続する。

要約

サンディスクの株価は7月3日、14.13%安の1,745.00となった。一方で同社とキオクシアは、日本の岩手県にある北上工場のFab2拠点で第10世代3Dフラッシュメモリーの製造を開始した。時間外取引では0.98%戻し、1,762.07となった。今回の立ち上げは、高度なNAND生産の拡大を意味する。K2製造棟は2025年9月に第8世代3Dフラッシュメモリーの生産で稼働を開始しており、今回これに両社の新技術が加わる。両世代とも、CMOSロジックとメモリーアレイを直接接合するCBAアーキテクチャを採用しており、人工知能を含むデータ集約型アプリケーション向けに、記憶密度、速度、電力効率を改善する。施設には、免震構造、省エネ型生産システム、AIによるワークフロー最適化に加え、増産を支えるクリーンルーム能力も備わる。キオクシアとサンディスクは最近、合弁契約を2034年12月まで延長しており、長期的なNAND開発と供給に軸足を置く製造提携を強化した。

用語解説
  • 3Dフラッシュメモリー: 記憶セルを垂直方向に積層し、容量と効率を高めるNANDストレージの一種。
  • NAND: データセンター向け機器や民生機器などのストレージ製品に広く使われる不揮発性フラッシュメモリーの一形式。
  • CBAアーキテクチャ: CMOSロジックとメモリーアレイを直接接合し、密度、速度、消費電力を改善するチップ設計手法。