報じられた方針転換はシリコンフォトニクス開発の遅れを示しており、エヌビディアの代替策ではTower Semiconductorのプラットフォーム上で16波長DWDMと200G/400G PAM4を採用する。
エヌビディアはTSMCのCOUPE技術計画を一時的に断念し、Tower SemiconductorのSiPho（シリコンフォトニクス）プラットフォームを基盤とする代替設計へ切り替えた。IrrationAlanalysisが関係筋の話として報じた。今回の変更は、TSMCの窒化シリコン技術の進捗が遅く、フォトニクスシステムで光信号を効率的に伝送するための重要部品である2次元グレーティングカプラの開発も想定を下回ったことに関連しているという。エヌビディアの最新の「プランB」では、16波長DWDM（高密度波長分割多重）と200G/400G PAM4（4値パルス振幅変調）を組み合わせ、光インターコネクト容量の拡大を図るとされる。