SKハイニックス、Y1工場の設備調達開始 2027年までに月産2万枚を目標

龍仁半導体クラスターでの第1段階の立ち上げは、試験ライン建設とAI向けメモリー製品の春の設備導入に先立ち、2027年2月へ前倒しされたと報じられた。

要約

SKハイニックスは韓国・龍仁のY1ウェハー工場第1段階向けに先端DRAM製造装置の調達を開始した。第6世代10nm級1c DRAM向けの暫定計画能力は月産約2万枚である。Y1第1段階の立ち上げは来年5月から来年2月へ前倒しされ、試験ラインの建設は2月に始まり、本格的な設備導入は3〜4月を予定する。同工場はAIサーバー向けDDR、LPDDR、次世代HBM4Eの生産を視野に入れており、人工知能のワークロード向け先端メモリーの供給拡大を進めるSKハイニックスの取り組みを示している。

用語解説
  • 1c DRAM: 先端メモリーチップに用いられる第6世代10nm級のDRAMプロセスノード。
  • LPDDR: 省電力機器やシステム向けに設計された低消費電力DRAM。
  • HBM4E: データ集約型コンピューティング用途を対象とする次世代広帯域メモリー製品。