サムスン電子とSKハイニックスは、人工知能（AI）サーバーが高性能ストレージの需要を押し上げるなか、先端ラインの増強と製造設備の追加を軸に、中国のNANDフラッシュ生産拠点への投資を来年以降も継続する計画である。サムスン電子は西安のX2ラインをV9 NANDに転換しており、約280層を積層する工程で、月産能力は4万～5万枚となる見通しである。エッチング設備を中心とする追加投資は来年下半期から計画されており、調達発注は年末前後に確定する可能性がある。SKハイニックスは大連第2工場でNAND増強に向けた設備投資を再開しており、月産約3万枚の生産能力が議論され、設備導入は来年前半に予定されている。これまでの報道では、同ラインの月産能力は4万～6万枚と見積もられていた。今回の増強により、両社にとって戦略的に重要な中国事業は拡大するが、引き続き米国の設備輸出に関する許可要件の対象となる。