ラム・リサーチは、5年間で世界の研究施設網に30億ドル超を投資する計画の最初の節目として、オレゴン州トゥアラティンで12万平方フィートの新たな研究開発施設の建設に着手した。この取り組みは、米国、アジア、欧州の専門施設全体で年間の実験能力を50％超高めるとともに、24時間365日の一体的な運用モデルによって、半導体プロセス開発サイクルを最大2.5倍短縮することを目的としている。トゥアラティンの研究施設は、先端ロジック、メモリー、パッケージング技術を支援する。これには、AIや高性能コンピューティングの需要の恩恵を受けている高帯域幅メモリー用途も含まれる。ラム・リサーチは、同施設が2028年に稼働を開始し、トゥアラティンの研究開発センターのクリーンルーム容量を50％超拡大すると見込んでいる。キャンパス全体の拡張により、3年間で約900人の建設雇用と5億ドルの経済効果が創出され、その後、ラム・リサーチで400人超の新規雇用と、オレゴン州への年間18億ドル超の経済効果が生まれると予測されている。これらの予測は将来見通しであり、建設、市場、顧客、サプライチェーン、貿易などの状況に左右される。