SKハイニックスのNANDフラッシュ事業は、より新しい製造世代への移行が遅れているため、サムスン電子、マイクロン、中国のYMTCとの生産性格差を縮めるのに苦戦している。2026年第2四半期には、176層NANDがSKハイニックスの生産量のなお50～60％を占めた。一方、サムスン電子では236層NANDが60％を超え、主力世代となっている。マイクロンでは232層製品と276層製品がそれぞれ53％、33％を占め、YMTCでは232層NANDが68％に達した。キオクシアとサンディスクは旧世代製品の生産量を相当程度維持しているものの、218層のBiCS8製品の比率を急速に高めている。層数が増えるほどウェハーの生産性とコスト効率が向上するため、旧世代のプロセスを採用するメーカーは収益性で不利となる。ソリダイムを含むSKハイニックスのNAND売上高シェアは、昨年第4四半期の21.4％から今年第1四半期には16.4％に低下した一方、YMTCは11.5％から16.2％に上昇した。業界関係者は、この格差の背景として、プロセス移行投資の遅れに加え、SKハイニックスが設備投資の重点をDRAMと高帯域幅メモリーに置いていることを挙げている。NANDへの設備投資は、2023年の35億ドルから2024年には30億ドル、2025年には29億ドルに減少した。同社はインディアナ州ウェストラファイエットに、次世代HBMの2029年下半期の量産を目指す先端パッケージング施設を40億ドル超で建設しており、クァク・ノジュン社長兼最高経営責任者（CEO）はHBM4Eの量産を2029年第3四半期に開始すると述べている。最近のNAND価格上昇により実際の業績への影響は限定されているものの、将来の利益率と市場での地位にとって、NANDの競争力回復が重要になるとみられている。