サムスン電子は、エヌビディアのカスタム高帯域幅メモリー「NVHBM」のベースダイ生産に台湾積体電路製造（TSMC）の3nmプロセスを採用する。報道によると、HBMの製造段階でサムスンとTSMCが協業するのは初めてとなる見通し。エヌビディアはサムスン、SKハイニックス、マイクロン・テクノロジーに対し、TSMCの3nmプロセスでNVHBMのベースダイを生産し、コアダイには第6世代1c DRAM技術を採用して標準化するよう要請した。8月に発表されたNVHBMは、メモリーコントローラーをベースダイに組み込む設計で、標準的なHBM4Eと比べて帯域幅を最大30％高め、消費電力を15％削減することを目指す。サムスンは、他の顧客向けに供給する標準HBMおよびカスタム製品では、設計から製造までを一貫して担うターンキー・モデルを維持する。JPモルガンは、HBMが2026年に20％、2027年に19％、2028年に16％不足すると予測している。一方、ChangXin Memory Technologiesは、より高密度なDRAM設計を採用したサーバー向けメモリー製品を2026年末までに計画している。