韩国6月前20天芯片出口初值显示,DRAM同比增长342%

韩国6月前20天芯片出口初值显示,DRAM同比增长342%

韩国6月前20天贸易数据显示,在人工智能驱动的需求带动下,出口增长60.4%,半导体领涨,DRAM、NAND、HBM/MCP和SSD出货均大幅增长。

摘要

韩国6月1日至20日初步贸易数据显示,出口额同比增长60.4%至$62 billion,其中半导体出货增长188.4%至$25.5 billion,人工智能基础设施需求提振了存储芯片销售。在存储产品中,包含模组的DRAM同比增长342%、环比增长3%;NAND flash同比增长336%、环比增长28%;消息源中被认定为HBM的MCP同比增长209%、较前月增长51%;SSD出口同比大增405%、较前月增长25%。据Critini Research分析师Jukan援引韩国媒体ETNews称,6月存储半导体出口额可能达到创纪录的$38 billion至$42 billion,高于5月的$37.16 billion。

术语与概念
  • DRAM: 一种被广泛使用的计算机存储器,用于临时存储数据以实现快速访问。
  • HBM: 高带宽存储器,是一种用于人工智能服务器及其他高性能计算系统的先进存储芯片。
  • NAND: 一种闪存技术,常用于SSD等存储产品。