铠侠与闪迪启动第10代3D闪存量产，向AI数据中心提供332层芯片样品

铠侠与闪迪已在日本岩手县北上市工厂园区的Fab2厂区启动第10代3D闪存生产，铠侠同时已开始单独向AI数据中心运营商提供其下一代芯片样品。彭博社7月4日报道称，这家总部位于东京的芯片制造商表示，其332层第10代3D闪存在能效和数据传输速度方面表现更优，容量较此前旗舰级第8代芯片提升59%。此次投产扩大了K2制造园区的先进产能；该园区于2025年9月开始运营，生产第8代3D闪存。两家公司表示，这两代产品均采用CBA架构，通过将CMOS逻辑与存储阵列键合，以提升面向AI等数据密集型应用的密度、速度和能效。铠侠与闪迪还已将双方合资合作延长至2034年12月。另据披露，闪迪股价7月3日下跌14.13%，至1,745.00，盘后上涨0.98%，至1,762.07。