Sandisk股价跌逾14%,与铠侠在K2启动第10代3D闪存量产

两家公司已在日本北上工厂的Fab2启动其最新NAND技术制造,在扩充面向AI相关存储需求产能的同时,双方合资协议现已延长至2034年12月。

摘要

7月3日,Sandisk Corporation股价下跌14.13%至1,745.00,尽管该公司与铠侠已在日本岩手县北上工厂园区内的Fab2启动第10代3D闪存制造。盘后交易显示,该股小幅回升0.98%至1,762.07。此举标志着K2制造综合体先进NAND产能的进一步扩张;该综合体于2025年9月投产第八代3D闪存,如今正导入双方更新一代的技术。第八代与第十代产品均采用CBA架构,通过将CMOS逻辑与存储阵列直接键合,提升存储密度、速度和能效,以满足包括人工智能在内的数据密集型应用需求。该设施还配备抗震隔离、节能生产系统、AI驱动的工作流程优化,以及旨在支持更高产出的洁净室产能。铠侠与Sandisk近期还将双方合资协议延长至2034年12月,进一步巩固了聚焦长期NAND研发与供应的制造联盟。

术语与概念
  • 3D Flash memory: 一种通过将存储单元进行垂直堆叠来提升容量和效率的NAND存储技术。
  • NAND: 一种广泛使用的非易失性闪存形式,常见于数据中心设备和消费类设备等存储产品中。
  • CBA architecture: 一种通过将CMOS逻辑与存储阵列直接键合来提升密度、速度和功耗表现的芯片设计方法。