合肥项目采用晶圆键合，在不依赖EUV光刻的情况下推进高密度DRAM；随着长鑫存储扩产，公司目标在2026年底前实现HBM3产出，并筹备科创板IPO。
长鑫存储正在其合肥工厂测试一条键合DRAM试验线，利用晶圆对晶圆混合键合技术，在不依赖极紫外光刻的情况下制造高密度存储芯片。该方案将存储单元阵列与外围电路分离，在不同晶圆上分别制造后再进行键合，在中国芯片制造商仍被限制购买ASML受出口管制的EUV设备之际，这为利用较旧光刻设备生产高性能DRAM提供了潜在路径。韩国媒体最早于2026年7月5日前后报道了这条试验线。三星正通过其B1b项目推进类似的键合DRAM计划，SK海力士也一直在探索键合架构，部分韩国分析师表示，如果长鑫存储率先将该技术商业化，可能获得先发优势。长鑫存储成立于2016年，获得了大量国家支持，已从19 nm DDR4和LPDDR4推进至DDR5，运营多座12英寸DRAM晶圆厂，并随着2025年和2026年DRAM需求走强而持续扩产。公司还计划在2026年底前实现HBM3产出，并筹备在上海科创板首次公开募股。有关这条键合DRAM产线的良率数据和量产时间表尚未披露，显示项目仍处于早期阶段；但若成功商业化，可能加剧市场竞争、压低DRAM价格，并增强中国本土存储供应链。