
这家芯片制造商更广泛的美国本土扩张计划包括约2000亿美元承诺,用于在爱达荷州、纽约州和弗吉尼亚州开展制造和研发,由《芯片法案》支持,目标是在美国生产其40%的DRAM。
美光科技表示,受人工智能驱动的存储器需求增长以及在美国生产其40% DRAM目标推动,公司现计划到2035年前在美国晶圆厂和技术领域投资超过2500亿美元。作为这一更广泛布局的一部分,美光提出约2000亿美元承诺,其中1500亿美元用于美国本土制造,500亿美元用于爱达荷州、纽约州和弗吉尼亚州的研发,较此前承诺增加300亿美元。公司计划在爱达荷州博伊西建设第二座先进存储器晶圆厂,目标于2027年实现DRAM产出;在纽约州建设最多四座大规模晶圆厂,并对弗吉尼亚州马纳萨斯的运营进行现代化升级。美光已获得最高64亿美元《芯片法案》支持,其中包括针对弗吉尼亚州项目最终确定的2.75亿美元拨款,并表示其美国项目整体预计将创造超过9万个就业岗位。此次扩张正值美光纽约州克莱项目首度浇筑混凝土,较计划提前逾一个季度之际;公司还另行表示,计划投资最高30亿美元,以强化支持其美国制造布局的本土半导体供应链。