摘要
联电与SILITH Technology已从联电位于新加坡的12英寸Fab 12i工厂交付首批量产光子集成电路晶圆，推动双方合作从开发阶段迈入面向AI及超大规模数据中心光互连的商业化硅光子制造阶段。两家公司表示，该平台约在18个月内具备量产条件，并支持SILITH的1.6T硅光子平台；与此同时，联电正瞄准在2026-2027年期间基于imec的iSiPP300硅光子工艺平台实现风险试产。 此举扩大了联电更长期的硅光子布局。该布局可追溯至2010年，早前主要聚焦于8英寸晶圆。转向12英寸制造有望提升产出规模并降低单位成本；在各大晶圆代工厂竞相供应满足不断增长的AI数据流量所需的光互连技术之际，这是一项具有战略意义的举措。联电于2025年12月获得imec iSiPP300平台授权，以加快更先进工艺堆栈的开发。 花旗分析师对联电推进硅光子持积极看法，但GlobalFoundries和台积电带来的竞争也在加剧。对于制造版图主要集中在台湾的联电而言，新加坡生产基地也增强了地域多元化，而这正值更广泛的半导体供应链担忧持续存在之际。
术语与概念
- 硅光子: 一种利用光而非仅依靠电信号，以极高速度传输数据的芯片技术。
- 光子集成电路: 用于在芯片上生成、处理或传输光信号的集成电路。
- 风险试产: 在全面量产前，以有限产量验证新工艺的早期制造阶段。