
Tower表示,其在日本的 30 亿美元扩产计划包括日本政府提供的 10 亿美元补助,第一阶段将提升硅光子产出,预计于 2027 年第四季度实现全面投产。
Tower Semiconductor表示,将投资 30 亿美元扩大其在日本的芯片制造业务,其中包括日本政府提供的 10 亿美元补助。第一阶段将重点大幅提升 300mm 硅光子产能,预计于 2027 年第四季度实现全面投产。 该公司此前已概述其在日本鱼津扩大 300mm 业务的更广泛计划,该计划与其 2026 年 3 月 25 日对日本业务进行重组相关。根据该计划,Tower正在解除 TPSCo 架构,取得 Fab 7 的完全所有权,并以 2500 万美元将 200mm 的 Fab 5 完全所有权转让给 Nuvoton Technology Corporation Japan。该交易预计于 2027 年 4 月 1 日完成,仍需获得监管批准。Tower还表示,将设立一家全资日本子公司持有 Fab 7,同时双方将签署长期相互供应协议。 最新进展显示,第一阶段将在升级后的 Fab 6 大幅扩充 300mm 硅光子产能,第二阶段则包括在 Fab 7 旁新建一座 300mm 光刻厂。Tower此前曾表示,计划新增产能中超过 70% 已被预订至 2028 年;公司已锁定 2027 年 13 亿美元的硅光子收入合同,其中包括 2.9 亿美元客户预付款;并上调了 2026 全年资本支出指引至 9.2 亿美元,同时更新了 2028 年营收和利润目标。 这项投资凸显出日本继续通过国家支持扩大本土半导体制造能力,也反映出高性能计算和 AI 数据中心基础设施所使用的光学技术需求正在上升。