AI数据中心需求推高存储器价格,带动长鑫存储与长江存储扩产

分析师观点显示,中国DRAM价格正接近全球领先厂商,并强调到2027年3D DRAM将取得进展;合肥、上海和北京的新增产能预计将在2028年全面上线。

摘要

AI数据中心需求上升正在推高存储器价格,并促使中国芯片制造商长鑫存储和长江存储推进扩产计划。分析师jukan在X上表示,在高盛与一位中国DRAM行业专家的电话会议中,该专家称,尽管良率可能较低,但中国供应商的DRAM价格有望与全球领先厂商持平。该专家还表示,到2027年,中国DRAM制造商可能会在3D DRAM方面取得进一步进展,而合肥、上海和北京的扩产项目预计将在2028年全面投产。这些评论进一步印证了此前的报道:长鑫存储正在上海和合肥建设工厂,并可能新增第三座工厂;全部投产后,其月度晶圆产能将超过600,000,且长鑫存储和长江存储的新产出可能自2027年开始释放。

术语与概念
  • DRAM: 动态随机存取存储器,一种广泛用于服务器、PC及其他设备的半导体存储芯片。
  • 3D DRAM: 一种通过堆叠或垂直集成DRAM结构来提升存储密度并有望改善性能的存储器架构。
  • wafer capacity: 指芯片制造商在特定时期内可处理的半导体晶圆数量,通常用于衡量制造规模。