长鑫存储完成LPDDR6研发验证 中国DRAM挑战者持续壮大

长鑫存储已完成LPDDR6研发验证，这意味着这家中国最大的本土DRAM制造商已越过早前报道所述的验证阶段，更接近面向智能手机的下一代低功耗存储实现量产。该公司表示，这款芯片的设计速率为12.8 Gbps，基于其G4制程节点10.7 Gbps的基础速度，设计密度为16Gb，这使其与三星、SK海力士和美光的产品形成直接竞争。 这一更新进一步展现了长鑫存储在存储市场的整体崛起。其现有LPDDR5X产品已达到10,667 Mbps，大致与行业主流水平相当，而Counterpoint Research此前估计，该公司今年第一季度的全球DRAM市场份额为8%，高于一年前的3%。最新报告中的新数据显示，2026年第一季度营收约为75亿美元，同比增长逾700%，进一步巩固了其作为全球第四大DRAM制造商的地位。 长鑫存储的扩张也得到了新资本和不断扩大的制造规模支持。该公司最近在上海科创板上市融资约85.5亿美元，且其股票在首日交易中涨幅超过466%。目前其DRAM晶圆厂产能约为每月10万片晶圆，并正在北京建设更多工厂。小米、OPPO和vivo等中国智能手机品牌已在采购其存储芯片，而据报道，苹果也对将其作为潜在供应商表现出兴趣。 随着美国出口限制持续施压，迫使中国建设更具自主性的半导体供应链，长鑫存储推进LPDDR6在战略上仍然至关重要。投资者目前关注的是，长鑫存储能否从完成研发验证迈向大规模量产，以及能否与主要西方设备制造商达成已确认的供货协议。报告补充称，若美国进一步收紧对设备或材料的管制，可能会放缓其扩张，并波及依赖高性价比高性能硬件的市场，包括AI、游戏和加密货币挖矿。