瑞银预测，三星明年HBM比特出货份额将达到41%，领先于SK海力士的39%，这得益于HBM4的提前量产。
三星电子预计将在明年超越SK海力士，成为高带宽内存市场的领军者。瑞银预测，2027年三星HBM比特出货份额将达41%，SK海力士为39%，美光为20%。该行表示，SK海力士今年仍将以48%的份额保持领先，但三星在今年2月率先实现HBM4量产出货，并扩充了平泽和龙仁的产能后，市场地位有望改善。瑞银称，从HBM3E向HBM4的过渡正在重塑竞争格局，因为新一代产品对逻辑芯片设计、先进封装和更宽数据通道的依赖更高，而三星在这些领域布局更早。英伟达将在其下一代Rubin AI图形处理器中采用HBM4，AMD则已选择三星作为其主要供应商，并计划在下一代AI系统Helios中率先使用三星的HBM4。瑞银表示，市场领导地位的变化并不意味着SK海力士增长走弱，反而反映出内存需求的整体回升，预计全球DRAM比特需求增速将从今年的22%加快至明年的36%，NAND闪存需求增速也将从20%升至23%，尽管供应约束可能使内存市场的紧张状态持续到2028年。