新规收紧原创性审查，明确对不当登记的异议程序，并允许在严重半导体设计侵权案件中适用惩罚性赔偿。
中国将于10月15日实施修订后的法规，以加强对集成电路布图设计的保护，收紧登记标准，明确如何对不当登记提出异议，并扩大侵权救济范围。李强总理已于7月23日签署该法规，新华社于3日报道了这一进展。 此次修订由司法部和国家知识产权局公布，重点针对电路布图，即决定芯片内部各组件如何排列的设计架构。申请人今后需提交材料，证明设计属于原创性创作成果，明确标示原创性声明，并说明作品中的原创部分。对明显不符合要求的申请，主管部门可以予以驳回。 新规还通过允许按权利人损失或侵权人获利计算赔偿、并在严重案件中由法院判处惩罚性赔偿来加强执法。新规还进一步明确了许可、转让以及将电路设计作为抵押品的规则，并要求牵头开展设计工作的组织向参与人员提供合理报酬和奖励。 这些变化出台之际，中国正推动提升本土半导体能力，此前美国连续限制获取先进芯片设计软件和制造设备。分析人士称，这些修订旨在倾向真正具备技术能力的公司，并强化对战略性芯片相关技术诀窍的保护，但并不构成直接出口管制。