AI相关抛售后,高盛维持看多韩国股市观点

AI相关抛售后,高盛维持看多韩国股市观点

高盛维持Kospi指数12,000点目标和增持评级,称即便在大幅回调并反弹后,市场对存储芯片基本面的看法仍过于悲观。

事实核查
多家可信消息来源印证了这一说法的每个要素。Business Insider报道称,在AI股票大跌后,高盛重申了其超配评级和Kospi 12,000点目标,并表示此次抛售过度,因为市场定价低估了存储芯片基本面(三星电子、SK Hynix)。这与相关说法一致,即高盛认为,在经历大幅回调和反弹后,市场对存储芯片基本面变得过度悲观。Bloomberg和CNBC也分别确认了12,000点目标和超配建议。
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摘要

高盛表示,韩国Kospi指数近期的抛售已将市场对存储芯片行业的隐含预期压低至过度悲观的水平,同时维持其未来12个月12,000点目标和增持评级不变。该行称,该指数较6月22日高点下跌39%,随后于7月31日飙升17.9%,创有记录以来最大单日涨幅,并认为这一下跌反映的是市场对存储周期持续性的担忧,而非基本面恶化。 高盛称,这些担忧被杠杆ETF的被动抛售以及短期动量投资者的跟进卖出进一步放大。该行补充称,随着杠杆ETF资产缩水、保证金敞口下降、监管趋严以及对冲基金仓位缓解,技术面条件已有改善,为市场复苏留下了更健康的结构。 高盛反驳了围绕存储的三项主要看空论点。该行表示,有关英伟达可能下调Rubin Ultra中HBM含量的说法,反而表明HBM供应存在结构性瓶颈,而HBM仍是AI供应链中最紧张的部件之一。谈及SK海力士,高盛称,该公司的长期协议策略锁定了较旧HBM3E产线的产能,导致其第二季度DRAM市场份额降至26%;与此同时,三星升至39%,美光与SK海力士的差距缩小至1个百分点。高盛表示,下一阶段的竞争将取决于SK海力士切换产线的速度。关于NAND,高盛称,在业绩超出预期但低于市场期望的叙事下,市场出现了获利了结,尽管消费和边缘计算业务环比下滑32%,且管理层仅指向2027年才会出现显著复苏。 高盛维持其更广泛的建设性观点,认为DRAM制程微缩正接近极限,10纳米技术可能成为最后一个节点,而良率下降和资本支出上升可能从结构上支撑存储周期。该行还强调了需求端的两项利好:CXMT已拒绝苹果的降价要求,且定价与三星和SK海力士一致;DeepSeek正计划大幅提价。高盛称,这可能意味着超低价补贴式AI推理时代正在结束。

术语与概念
  • HBM: 高带宽存储器,一种先进的存储芯片,旨在为AI和高性能计算工作负载快速传输数据。
  • Leveraged ETF: 杠杆ETF,一种使用债务或衍生品来放大标的指数或资产每日回报的交易型基金。
  • DRAM: 动态随机存取存储器,一种被广泛使用的存储芯片,用于为计算系统临时存储数据。