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NoMIS Power推出阻断电压超8 kV的6.5 kV SiC MOSFET

这家位于纽约州奥尔巴尼的公司表示，该器件实测导通电阻为90毫欧、漏极电流为55 A，支撑其从已出货的3.3 kV器件扩展至10 kV MOSFET和20 kV SiC IGBT的路线图。

摘要

正在验证可靠性

术语与概念

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