三星电子第六代HBM4已达到80%的良率门槛，芯片制造商通常将这一水平视为缺陷率、产出稳定性和盈利能力显著改善的节点，这也使其与SK海力士之间的市场竞争更加聚焦于制造规模，而非单纯的工艺开发。三星在2月开始量产时，HBM4良率还低于60%，约6个月内提升至约80%，并表示第三季度HBM4营收将较上一季度增长逾3倍，而在下半年HBM4将占HBM总营收的60%以上。 该公司还在推进一项目标，计划到年末将HBM市场份额提升至约38%，接近其DRAM市场份额。瑞银预测，在SK海力士今年以48%领先后，三星明年HBM位出货份额可能达到41%，而SK海力士为39%。不过，SK海力士表示，HBM4竞争力取决于稳定量产、良率和质量，行业参与者认为其HBM4良率也已升至80%左右。 三星正在扩大其华城和平泽园区的产能，并已向主要客户交付12层堆叠HBM4E样品，同时表示HBM4E可靠性测试良率已超过70%。即便如此，供应仍然紧张，促使英伟达和AMD考虑为下一代AI加速器采用较低规格的内存配置，包括Rubin Ultra和MI400，因为企业正在适应12层堆叠HBM4E供应有限的情况。分析师表示，这种供应紧张局面可能会将韩国内存供应商的定价能力延续到明年，尽管也有人警告称，最先进内存配置采用速度放缓，可能会拖累长期技术发展势头。