随着AI推理工作负载提升存储在数据中心架构中的重要性，SK海力士正围绕中国大连和韩国清州扩大其NAND闪存扩产策略。业内消息人士称，停建4年的大连第二座晶圆厂已全面复工，规划建设月产4万至6万片晶圆的生产线，目标在年底前后搬入设备，并预计于明年上半年实现量产。连同现有的一厂，大连的月产能将达到约15万片晶圆。 该公司还正将清州打造为先进NAND核心基地。SK海力士计划在M17园区投资19.1万亿韩元，首个洁净室预计于2028年底前启用，产出预计将包括下一代高层数NAND和高带宽闪存（High-Bandwidth Flash，HBF）。若包括M17在内的4座晶圆厂全部建成，清州最终月产能可能达到40万片晶圆，而大连与清州在全面建成后合计每月将提供约55万片晶圆的投片能力。 这项投资反映出AI系统的一项转变：NAND正从GPU和CPU附近的辅助部件，转向存储基础设施中的更核心角色，其中包括英伟达下一代Vera Rubin平台、HBF产品和CXL内存池。SK海力士也在权衡更广泛的供应链扩张。SK集团会长崔泰源上月在SK海力士美国存托凭证上市期间表示，公司正在评估全球新建存储器晶圆厂的候选厂址，其中包括美国。该公司已在印第安纳州西拉斐特建设一座价值约40亿美元的先进封装厂，并正通过ADR上市及评估资产出售来加快筹资。 此举正值美光强化其美国制造优势之际。美光首席商务官Sumit Sadana表示，该公司仍是唯一一家在美国运营存储器前端晶圆厂的制造商，而且在长期供应协议下，美国制造的存储器享有价格溢价。