三星电子正把其器兴园区NRD-K 2号线设施的规划用途，从研发基地调整为晶圆代工产线，重点生产用于英伟达HBM（即高带宽内存）的2nm基底芯片。该产线预计将于2028年下半年以"Send-Fab"模式开始运营，即从其他量产产线接收晶圆，并完成选定的工艺步骤。此举旨在更早为与AI基础设施投资相关的HBM需求增长做准备。三星计划首先将其2nm工艺应用于定制化HBM和HBM5，以保持性能优势。ZDNet Korea援引业内人士称，NRD-K 2号线规模相对较小，适合采用Send-Fab模式，但该产线距离投产仍约有两年时间，其最终定位仍可能根据市场情况再次调整。三星此前曾考虑将该产线用于DRAM生产，但这一计划于本月被修订，这将使更多DRAM产能集中在其平泽园区。设备采购订单尚未正式下达。