中国已组装出一台极紫外（EUV）光刻机原型机，能够产生全球最先进芯片制造所需的13.5nm光源，这标志着其在国产DUV设备近期进展的基础上又迈出了重要一步。该设备于2025年初在深圳一处设施内完成组装，但尚未产出可用芯片，这凸显出原型光源生成距离量产级半导体制造仍有很长的路要走。 EUV系统对于制造5nm以下工艺节点芯片至关重要，而荷兰公司ASML仍是量产级设备的唯一供应商，每台设备价格约为2.5亿美元。中国这台原型机部分通过逆向工程较老的ASML技术开发而成，据报道，其团队包括曾在签约时获得约42万美元至70万美元签约奖金的前ASML工程师。其中包括曾负责ASML光源部门、现就职于上海光学精密机械研究所的Lin Nan。 产生EUV光只是挑战的一部分。该过程使用高功率激光射向微小的熔融锡液滴，以产生会发射13.5nm光的Plasma，但商用EUV光刻还依赖超高精度反射镜、接近零振动的控制以及无污染的真空环境。德国光学公司Carl Zeiss是唯一能够按所需精度生产此类反射镜的公司，而这些部件同样受到出口限制。 北京已设定目标，计划到2028年利用国产EUV技术生产出可用芯片，而行业分析人士认为2030年是更现实的时间表。这一努力属于更广泛的半导体战略的一部分，其中包括大基金三期（Big Fund III）——这一国家支持的投资工具已承诺投入约500亿美元，以实现光刻独立和更广泛的芯片自给自足。自2018至2019年前后出口管制生效以来，尚无EUV系统销往中国，此后更严格的限制也已扩大至DUV设备。