美光将在未来10年投资100亿美元，即约13.9万亿韩元，在其总部所在地爱达荷州博伊西建设美光研究实验室。该设施计划于明年开工建设，并将雇用数百名研究人员。据称，这是美国建成的首个专注于存储器的研究中心。该项目与美光此前宣布的2500亿美元、即约349万亿韩元的制造相关投资计划相互独立。该实验室将重点研究下一代存储器、高性能计算架构、先进芯片封装和未来半导体制造工艺，旨在缓解与人工智能相关的数据处理瓶颈。美光正将存储器定位为人工智能经济的战略基础设施，而非大宗商品。公司还计划通过协作网络连接客户、学术界、政府机构和初创企业，并将该实验室与位于欧洲、日本、印度、新加坡和中国台湾的研发及技术中心相连接。此举支持特朗普总统推动重振美国半导体生产的努力，也加剧了美光与三星电子和SK海力士在高带宽存储器（HBM）领域的竞争。HBM是一种为高速数据处理而设计的存储器。Counterpoint Research估计，今年第一季度，按营收计算，SK海力士约占全球HBM市场的58%，三星电子和美光则各占约21%。