三星电子和SK海力士计划将对其在华NAND闪存生产基地的投资持续至明年，重点进行先进产线升级并增添生产设备。随着人工智能服务器推动高端存储需求增长，三星一直在将其西安X2产线改造为V9 NAND，该工艺涉及约280层堆叠，预计月产能为4万至5万片晶圆。以刻蚀设备为重点的追加投资计划于明年下半年启动，采购订单可能在年底前后敲定。SK海力士已重启对其大连第二工厂NAND升级项目的设备投资，讨论中的产能约为每月3万片晶圆，计划于明年上半年完成部署。此前报道称，该产线月产能预计为4万至6万片晶圆。此次扩产进一步增强了两家公司在中国具有战略重要性的业务，但相关业务仍受美国设备出口许可要求的约束。