三星电子已申请注册zHBF商标，这表明公司正着手在高带宽闪存（HBF）领域建立布局。HBF是一种新兴的、基于NAND的内存层级，定位介于HBM和SSD之间。三星尚未披露zHBF的结构或性能。三星相关的zHBM概念则是将HBM直接堆叠在AI加速器上，以缩短数据传输距离、提高带宽并降低延迟和功耗。三星执行副总裁Cho Sang-yeon表示，第一代zHBM的规格正在制定中，预计产品将在2029年之后推出，比市场预计在2030年前后实现商业化的时间早约1年。他表示，AI基础设施正从以计算为核心转向以内存为核心的系统，带宽将影响每秒处理的token数、用户数量、响应速度、吞吐量和部署成本。SK海力士和SanDisk已发布首份HBF规格，涵盖最高512 GB的容量，各层级的数据传输速率约为0.4至3.0 TB/s。三星可能会在2026年台北国际半导体展（Semicon Taiwan 2026）上公布更多zHBF细节，而散热管理、混合铜键合和先进封装仍是核心开发议题。