由于向新一代制造工艺转型的速度较慢，SK海力士的NAND闪存业务正努力缩小与三星电子、美光及中国长江存储之间的生产效率差距。2026年第二季度，176层NAND仍占SK海力士产量的50%—60%；相比之下，三星电子的236层NAND占比超过60%，并已成为其主流产品代际。美光的232层和276层产品占比分别为53%和33%，而长江存储的232层NAND占比达到68%。铠侠和闪迪仍保留相当比例的旧一代产品产量，但正迅速提高其218层BiCS8产品的占比。更高的层数能够提升晶圆生产效率和成本效益，使采用较旧工艺的制造商在盈利能力上处于劣势。包括Solidigm在内，SK海力士的NAND营收份额从去年第四季度的21.4%降至今年第一季度的16.4%，而长江存储的份额则从11.5%升至16.2%。业内人士将这一差距归因于工艺转型投资延迟，以及SK海力士将资本支出重点放在DRAM和高带宽内存上。NAND资本支出从2023年的35亿美元降至2024年的30亿美元和2025年的29亿美元。该公司正在印第安纳州西拉法叶投资超过40亿美元建设先进封装工厂，目标是在2029年下半年实现下一代HBM量产；公司总裁兼首席执行官郭鲁正表示，HBM4E量产将于2029年第三季度开始。近期NAND价格上涨限制了其对实际盈利的影响，但预计恢复NAND竞争力将对未来利润率和市场地位至关重要。