SK海力士在印第安纳州西拉法叶市普渡研究园为先进内存封装设施和AI内存研发中心举行开工仪式。随着美国政府施压以及大型科技客户需求增加，SK海力士和三星电子正在加快美国半导体投资。印第安纳州工厂将对韩国利川和龙仁生产的DRAM裸片进行堆叠、互连和测试，而不是制造晶圆；其洁净室计划于2028年10月启用，HBM4E量产计划于2029年第三季度开始，该项目投资额超过40亿美元。崔泰源董事长在韩国与日本企业界于仙台举行的会议期间确认，公司正在评估日本各地建设潜在内存制造工厂的地点，并表示会寻找电力和水资源条件良好的地方。一位知情人士称，公司可能寻求小规模收购、合资或共同投资。SK海力士目前持有铠侠控股约14%的股份；首席执行官郭鲁正表示，公司正在与客户和合作伙伴评估联合开发NAND闪存。预计全球内存短缺将持续至2030年。根据Counterpoint Research的数据，SK海力士在2026年第一季度占据全球HBM营收的58%；其在首尔上市的股票2026年已大涨157.14%，过去一年累计上涨522.3%。