三星电子正在推进多个相互关联的AI基础设施半导体项目：面向英伟达的八层HBM4E芯片、400层以上的V10 BV-NAND战略，以及面向未来HBM5、zHBM和zNAND-O产品的CUBE架构。HBM4E的目标是为英伟达定制NVHBM平台提供17至18Gbps的传输速度，但仍需通过良率、电源管理和客户验证等考验。三星表示，V10的位密度提升58%，I/O速度提升33%，功耗降低25%，可支持128TB级和PCIe 7.0固态硬盘。与此同时，CUBE的目标是实现相当于HBM4E两倍的HBM5性能，使热阻降至现有HBM水平的75%至90%，并实现相当于HBM5八倍的zHBM性能；三星计划于2028年首次测试zNAND-O原型。