中国最大的DRAM制造商、全球第四大DRAM厂商长鑫存储（CXMT）已开始小规模或小批量生产面向AI处理器的第五代HBM3E，全球市场份额约为7%。阿里巴巴平头哥和寒武纪正在测试该内存，如果验证成功，采用该内存的中国AI芯片最快可能于明年进入数据中心。长鑫存储计划在7月通过上海证券交易所上市筹集86亿美元、约合11.8万亿韩元后扩大产能。该公司目前仍落后于三星电子、SK海力士和美光一代；前三者正在量产HBM4，而行业估计显示，长鑫存储在技术、良率、可靠性和性能方面落后领先供应商3至5年。与此同时，台积电继续采用经过验证的微凸点封装来连接HBM与加速器，并要求供应商开发5μm级凸点，预计将于2027年下半年实现量产；混合键合仍被推迟至后续HBM代际。