Navitas Semiconductor与GlobalFoundries将于9月开始出货美国制造的第五代GaNFast氮化镓功率半导体，推进双方于2025年11月宣布的战略合作。Navitas已开发第五代GaNFast场效应晶体管（FET）和功率集成电路，用于在GlobalFoundries位于佛蒙特州伯灵顿的200毫米硅基氮化镓平台上量产。首批产品预计将包括650 V器件，其导通电阻RDS(ON)范围为11mΩ至150mΩ。晶圆计划于9月出货，内部样品将于10月提供，战略客户样品则计划在2026年底前提供。两家公司表示，该项目将支持人工智能基础设施、高性能计算、工业电气化和国家安全关键应用，同时增强美国半导体供应链。