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北方华创公布无需EUV的3D DRAM 500:1刻蚀突破

正在验证中
  • 北方华创发布IEEE论文，详细介绍用于64层3D DRAM的两步循环刻蚀技术。
  • 该工艺实现了超过500:1的SiGe对硅刻蚀选择比，并将硅损耗控制在1纳米以内。
  • 长鑫存储在2026年第二季度达到全球DRAM市场10%的份额。
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