台积电与ASML已启动一项联合计划，拟将极紫外光掩模从成熟的6英寸规格转向12英寸，以支持采用新一代High-NA EUV光刻技术的规模化生产。台积电计划在2031年前建成12英寸光掩模试验线，并在2033年前实现光刻系统全面就绪，同时计划自2030年起在先进制程量产中部署High-NA EUV。 High-NA EUV系统的单台价格约为3.8亿美元至4.1亿美元，可实现更高分辨率的图形化，但也需要对掩模及检测供应链进行调整。更大尺寸的掩模旨在提高制造效率、降低成本，并满足日益复杂的面向人工智能设计所需的不断增加的先进芯片层数。 该消息推动台积电股价盘中升至2,485新台币，较其2,535新台币的历史高点低约2%。此项进展建立在台积电、三星和ASML共同推动的更广泛High-NA EUV转型基础之上；三星计划自2028年起将该技术用于DRAM生产，之后再将其拓展至先进逻辑制程。