三星电子将加入由ASML牵头的联盟，共同开发12英寸光掩模。随着芯片制造商采用High NA EUV光刻技术，三星希望借此强化下一代DRAM和晶圆代工生产。更大的光掩模或可免去将两块6英寸光掩模拼接在一起的需要，从而提升光刻机生产效率、良率和成本效益。台积电和英特尔正分别与ASML推进合作；台积电计划在2031年前建成12英寸光掩模试验线，在2033年前配备先进制程光刻系统，并自2030年起采用High NA EUV。三星计划在一条2028年量产的生产线上将High NA EUV应用于存储器制造。与此同时，Nota被选为韩国800亿韩元“K-On-Device AI半导体技术开发项目”中人形机器人子项目的牵头方，将开发优化视觉-语言-动作模型的软件，以适配Mobilint的NPU并支持本地机器人运行。