CXMT全球DRAM份额扩大,HBM3良率差距凸显挑战

  • CXMT全球DRAM份额已超过10%,但其HBM3试产良率仅约为25%至30%。
  • 第二季度全球DRAM营收达到1547.3亿美元,环比增长59.5%;随着AI需求将产能重新导向HBM和服务器存储,
  • 三星电子以39.4%的份额领跑DRAM市场,而CXMT在良率和供应持续受限之际,已向阿里巴巴和寒武纪提供数量有限的HBM3样品。

中国最大的DRAM制造商长鑫存储(CXMT)全球市场份额已突破10%,但仍在努力提升HBM3产品的良率,凸显其快速扩张与领先供应商之间持续存在的技术差距。Counterpoint Research测算,CXMT第二季度DRAM市场份额为10%,较一年前的4%增长逾一倍;TrendForce则测算其份额从第一季度的7.6%升至第二季度的9.5%。CXMT上半年营收同比增长约10倍,服务器DRAM营收首次超过移动DRAM营收,公司也实现了净利润。然而,据报道,其8-Hi HBM3试产初始良率约为25%至30%,而SK海力士的良率超过90%;这意味着在前端加工和后端封装完成后,每100颗芯片中近80颗被报废。CXMT已向阿里巴巴和AI芯片设计商寒武纪提供数量有限的可正常工作的样品,同时继续改进工艺。随着AI基础设施投资增加对HBM、服务器DDR5和企业级SSD的需求,而制造商将产能从通用DRAM转移出去,该公司预计存储芯片短缺将持续。TrendForce报告称,第二季度全球DRAM营收为1547.3亿美元,环比增长59.5%。三星电子以39.4%的份额领跑,其次是SK海力士,份额为24.9%,美光为23.3%。HBM4所需晶圆量约为传统DRAM的3倍,KB证券预计,到2027年DRAM和NAND的需求将超过供应10个百分点以上。CXMT能否提高良率并改善后端TSV工艺,将决定其在中国存储自主化进程中推进的速度;与此同时,其更大规模的产能扩张最终也可能导致供过于求。

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