韩国纯晶圆代工厂DB HiTek已完成其基于8英寸晶圆的1,200伏碳化硅（SiC）MOSFET工艺可靠性认证，并建立了其所称的全球首个完整8英寸SiC晶圆代工工艺流程。该平台涵盖设计、制造、电气特性表征和可靠性认证，目标于2027年量产。DB HiTek正向客户提供第一代和第二代工艺设计套件（PDK），第三代PDK计划于11月推出。第二代工艺在18伏导通栅极电压下，实现不高于2.5 mΩ·cm²的比导通电阻和不低于3伏的阈值电压。第三代工艺正按不高于2.3 mΩ·cm²的目标值及至少2.5微秒的短路耐受时间进行认证。DB HiTek表示，PDK可将产品开发时间缩短一年以上。公司计划于2026年第三季度向长期客户开放使用，并于2027年第二季度向所有客户开放。