随着英特尔、三星、SK海力士和台积电确定生产时间表，ASML正扩大其下一代高NA极紫外光刻业务。四家芯片制造商正在运行10台系统，另有3台正在运输或安装；截至2026年7月，设备群可用率已达到84%，目标是在第四季度提升至90%。ASML已在埃因霍温为Brainport Industries Campus North举行奠基仪式。该园区规划占地35万平方米，第一阶段预计于2029年完工，并将整合生产、物流和办公设施。公司计划采用新的流动工厂模式，提高单台售价约为3.8亿至4亿美元的设备产量。三星和SK海力士计划于2028年采用高NA EUV生产DRAM，英特尔已在部分Panther Lake层使用该技术，台积电则计划自2030年起进行量产。高NA技术可将数值孔径从0.33提升至0.55，使每次曝光可印制的特征尺寸缩小至约原来的1/1.7；但其曝光场缩小一半，可能会降低大尺寸芯片的吞吐量，直至计划中的12英寸光掩模项目解决拼接损失问题。