约克维尔美国股票公司推出约克维尔美国下一代内存指数ETF（NYSE:NRAM），美光为其最大持仓；与此同时，花旗预计全球内存半导体市场可能持续供应短缺至2031年。两项展望均表明，AI需求增速超过HBM、DRAM和NAND产能增幅。不过，约克维尔首席执行官Steve Neamtz预计，新工厂要到2028年或2029年前后才能带来实质性缓解；花旗则认为，供需缺口至少将持续至2028年。花旗预测，随着系统从传统的训练和推理转向持续学习——即模型自主训练——AI对HBM、服务器DDR5和企业级SSD的需求将从2027年起加速。该行预计，2027年HBM位需求将达到751.57亿Gb，同比增长62%；2028年将达到1,269.90亿Gb。同时，DRAM需求增速预计将超过供应增速。Neamtz表示，主要供应商已经承诺提供其2026年的HBM产量，而HBM每GB所需的制造产能约为传统内存的三倍。花旗认为，拟议中降低每个加速器内存规格的做法，反映的是供应受限，而非需求疲软。美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，供应应在2028年逐步改善，但公司尚无法判断何时能够满足需求。美光占NRAM指数权重的16.5%，其次为SanDisk，占14.4%，以及SK海力士，占14.1%。