中国芯片制造商长鑫存储正准备通过位于北京新工厂的一条研发生产线进入NAND闪存市场。此举将推动长鑫存储拓展DRAM以外的业务，并与国内竞争对手长江存储以及三星电子、SK海力士和美光科技展开竞争。长鑫存储已成立相关的北京研究院，并正与开发面向AI系统和超级计算机存储产品的初创企业洽谈潜在的NAND供应。AI驱动的需求已令DRAM、高带宽内存和NAND闪存市场趋紧，而全球存储器短缺可能持续至2027年末。第二季度，长鑫存储位居全球DRAM厂商第四，Counterpoint Research数据显示，其市场份额为10%，高于2025年第二季度的4%。分析师表示，尽管存在性能差距，较低的价格仍可能帮助中国供应商提升市场份额，并对韩国制造商的盈利能力构成压力。