长鑫存储已开始量产其第五代G5 DRAM平台以及两款24Gb LPDDR5X产品，进一步缩小与全球存储器领先企业之间的技术差距。长鑫存储表示，自对准四重图形化技术将存储阵列有源区的半间距缩小至11.95纳米，同时每片晶圆的裸片总产出较其第四代平台至少提高50%。该公司表示，这些芯片已用于包括小米和华为在内的中国品牌旗舰智能手机。长鑫存储还报告称，阵列电容器纵横比达到45:1，核心存储单元阵列高度为6,762纳米，并将其归因于工艺和材料方面的改进。受美国限制措施影响，该公司无法获得极紫外光刻设备；业内人士估计，在良率、成本竞争力和工艺稳定性等因素综合考量下，长鑫存储仍落后于三星电子和SK海力士约3至5年。