长鑫存储已开始量产第五代DRAM平台，进一步巩固其在三星电子、SK海力士和美光主导的市场中的地位。该平台将关键存储单元间距缩小至11.95纳米，与上一代相比，每片晶圆产出的有效裸片数量至少增加50%。长鑫存储还表示，两款面向智能手机及其他便携设备的24Gb LPDDR5X产品已进入全面量产，其存储容量较前代芯片增加50%，能效也有所提升。该公司还在筹备一条研发产线，可能进军NAND闪存领域。行业估计显示，长鑫存储在2026年第二季度的DRAM营收份额为9.5%或10%，具体取决于研究机构；而已发布的报告称，该公司2026年上半年实现营收1,503.1亿元人民币，约合224亿美元。