三星和SK海力士预计将受AI内存需求推动创下利润新高

  • 预计三星电子和SK海力士第三季度营业利润合计创纪录,达到约190万亿韩元。
  • 明年HBM可能占DRAM芯片制造商晶圆产能的近30%,高于目前约20%的水平。
  • AI数据中心需求、HBM扩产和受限的内存供应正在支撑DRAM及NAND价格上涨。

预计三星电子和SK海力士第三季度营业利润合计约为190万亿韩元,即约1397.1亿美元,创下季度新高。人工智能数据中心投资在供应短缺的背景下推动内存需求增长。Wise Report预计,三星电子营业利润为111.38万亿韩元,同比增加815.47%;营收增长137.93%,达到204.76万亿韩元。预计SK海力士营收为99.54万亿韩元,营业利润为78.13万亿韩元,分别增长307.13%和586.34%。TrendForce预计,第三季度通用型DRAM价格环比最高上涨18%,NAND闪存价格最高上涨15%。三星电子执行副总裁金泰宇表示,由于HBM和标准DRAM使用相同的晶圆产能,HBM这种用于AI计算的垂直堆叠式内存技术明年可能占DRAM芯片制造商晶圆总产能的近30%,高于目前约20%的水平。分析师预计,随着三星电子和SK海力士优先生产HBM4,供需紧张状况将持续至2027年至2028年;HBM4和HBM4E的商业化放量仍将对未来盈利和定价能力至关重要。

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