中国DRAM制造商长鑫存储计划投入349亿元（约合52亿美元或7.07万亿韩元），用于研发和后端测试基地二期建设。公司将从约368亿元的首次公开募股（IPO）超募资金中拨出180亿元，其中130亿元用于研发，50亿元用于测试；该计划仍需获得股东批准。研发项目总预算为241亿元，将建设在长鑫存储位于合肥的现有12英寸存储晶圆制造基地；预算108亿元的测试项目将支持DRAM检测和存储模组组装。这些投资旨在扩大长鑫存储的集成器件制造商模式，并降低潜在的后端产能瓶颈。长鑫存储上半年研发支出同比增长87.4%，达到68.595亿元；TrendForce数据显示，公司第二季度全球DRAM销售份额达到9.5%，排名第四。