纳微半导体（纳斯达克：NVTS）已被美国陆军选中参与ALATTIS计划，开发并验证10 kV碳化硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT）及相关PiN二极管的国产制造工艺。该原型项目由美国陆军研究实验室资助，面向高功率国防和基础设施系统，并将纳微的业务拓展至其现有碳化硅MOSFET产品组合之外。公司计划将其沟槽辅助平面结构与先进二极管技术相结合，通过设计、制造和测试周期，展示器件性能、可靠性及制造成熟度。纳微股价周二报11.88美元，较周一11.73美元的收盘价上涨0.15美元，此前有报道称市场对该项目授予的反应更为剧烈。