应用材料于9月29日将铠侠纳入EPIC中心联盟，使三星、SK海力士、美光和铠侠汇聚于这座位于加利福尼亚州桑尼维尔的研发中心。双方合作聚焦3D NAND闪存的材料与工艺进步。随着AI基础设施对存储密度要求不断提高，缩小垂直层间距，即Z间距，正变得至关重要。铠侠的BiCS10 NAND技术达到332层，而当前领先的量产器件所采用的Z间距约为40纳米。应用材料与铠侠计划共同开发用于构建更高密度NAND结构所需的介电材料、低电阻字线填充材料和选择性刻蚀工艺。预计EPIC中心将在2026年年底前全面投入运营，也是应用材料计划向先进半导体设备研发投入50亿美元的一部分。