据报道，三星电子将采用台积电的3纳米工艺，为英伟达定制的NVHBM高带宽内存生产基础裸片，这或将标志着三星首次在HBM制造环节与台积电合作。英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电3纳米工艺生产NVHBM基础裸片，并以第六代1c DRAM工艺技术统一核心裸片。NVHBM于8月推出，将英伟达的内存控制器置于基础裸片中，设计目标是较标准HBM4E实现最高30%的带宽提升和15%的功耗降低。三星将继续为其他客户供应的标准HBM和定制产品维持其交钥匙模式。摩根大通预计，2026年、2027年和2028年的HBM短缺率分别为20%、19%和16%；与此同时，长鑫存储计划在2026年底前推出采用更高密度DRAM设计的服务器内存产品。