韩国一家上诉法院于2026年10月22日判处三星电子前员工全某5年有期徒刑，原因是其向长鑫存储（CXMT）泄露三星18纳米级DRAM工艺技术。该判决较其一审获刑7年减刑2年。全某在加入长鑫存储前曾在三星工作近30年，并承认参与泄密。检方称，6年间他获得了约29亿韩元，包括股票期权。泄露的工艺配方计划涵盖约600道制造步骤，涉及三星耗时5年、成本超过1万亿韩元研发的技术。DRAM是手机、笔记本电脑和服务器使用的工作内存，其生产依赖受到严密保护的制造诀窍。至少有10人依据韩国《产业技术保护法》面临指控，而检方指称长鑫存储招募了至少27名前三星和SK海力士工程师。该案件凸显，在中国芯片制造商招募经验丰富人才之际，相关执法面临挑战，法院也需要区分个人专业知识与雇主拥有的商业秘密。